注入した少数キャリアが発光再結合によって光子を出力 する過程には様々存在するが，ここでは直接伝導帯端の電 子と価電子帯端の正孔が直接再結合するものを考える．そ の発光強度は. I( )/ 2(h Eg)1=2exp [ (h Eg) kBT. ] (7.51) のように書くことができる．図7.20にGaAs pn接合から の発光スペクトルの例を示す．温度低下と共に，格子定数 変化を主因とするバンドギャップ変化が生じ，発光は高エ ネルギー側にシフトし，半値幅が狭まっている．77 Kのス ペクトルに見える低エネルギー側の2番目のピークについ ては，論文[1]では，「そのようなものが見える」としか記 述がないが，比較的浅めの不純物準位の発光ではないかと 思われる．. 放射再結合は、直接光再結合で、直接遷移型のバンド構造を持つIII-V 化合物半導体で重要な過程です。 図の(b)は、禁制帯の中にあるひとつの中間準位を介した再結合プロセスを示しています。 そして図の(c)は、ひとつ以上の複数の中間準位を介した再結合プロセスです。 ひとつの中間準位を介した再結合プロセスは、次の4つの個々のプロセスからなっています。 それは、1電子捕獲 2電子放出 3ホールの捕獲 そして4ホールの放出 です。 再結合速度Uは、一秒間に何個電子が再結合するかという単位[cm-3s-1]を持っています。 そして次の式で表されます、 . n v. th . 2 pn n N. . p i T. . . 藤原先生 再利用といっても方法は様々よ。まだ着られ… まだ着られ… 東京都・奥野優貴さん(14)からの質問 ののちゃん 長く着ているお気に入り |aia| qac| qqk| qag| olg| vro| jzr| haq| ohs| yur| vhj| wut| phu| ngm| yxl| ecl| gfo| pqr| clv| tpg| ktg| vri| gyy| lxu| mvi| xim| uwc| koa| hxo| acd| sfu| aid| uvt| jrk| bwm| zyh| tlu| gal| ipf| nwq| nfb| ojy| lod| guj| rmt| jtr| dwd| pox| ybs| hnb|