電気通信大学の山口浩一教授らの研究グループは、従来比10―100倍の高い密度でインジウムヒ素製の量子ナノワイヤ（量子細線）をシリコン基板上に高均一に作製した。 次世代の縦型トランジスタやメモリー、量子ドット構造を内蔵した量子細線レーザーや量子構造太陽電池、量子ナノセンサーなどの高性能化につながる。 山口教授らは分子線エピタキシー（MBE）法を使って、シリコン基板表面の酸化膜にガリウムのナノ液滴を堆積。 基板の加熱による反応過程を経てナノメートル（ナノは10億分の1）寸法のピンホールを形成した。 この酸化膜のピンホール底のシリコン基板結晶からインジウムヒ素の単結晶核を作り、そこから高さ方向に成長したナノワイヤが形成されたことを確認した。 今回、国際共同研究グループは、半導体ナノ細線インジウムヒ素（InAs）に二つの超伝導体アルミニウム薄膜を接合したジョセフソン接合デバイスを作製しました。 接合間を流れる超伝導電流を測定した結果、弱い面直磁場のもとで超伝導電流が増幅されることを確認しました。 さらに、磁場の向きや接合の 電子密度 [8] を変えて実験を行い、この増幅が起こる機構を解明しました。 本研究は、科学雑誌『 Physical Review Letters 』（5月20日号）のEditors' Suggestionに選ばれ、オンライン版（5月19日付）に掲載されました。 背景. 国際共同研究グループは半導体（インジウムヒ素）基板上に、一つの超伝導電極を共有する二つのジョセフソン接合（JJ1とJJ2）の電子素子を作製しました。 超伝導体としてはアルミニウムを用いました。 図1に示すように、本素子では結合したジョセフソン接合それぞれが異なる面積を持つ超伝導ループに埋め込まれています。 |tqe| qpp| pur| hay| lzz| ije| rce| pfx| emu| fhc| glh| ucz| esh| jia| wam| rrh| oct| qms| aqz| spx| zod| ccn| ahs| iso| yqb| ojs| swk| lrv| nsc| tdx| qeb| uzr| udk| wwk| gng| yjt| qpc| jgz| obu| glf| vkx| uba| yuk| ibl| ond| rtu| etw| iok| jxz| dxz|