FETとは電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor)の略称です.電気伝導に関与するのが,Nチャネル型の場合は電子だけ,Pチャネル型の場合は正孔だけなので,別名「ユニポーラ・トランジスタ」(unipolar transistor)とも呼ばれます.後述するトランジスタは,電子/正孔 3.1 JFETゲート - ソース間電圧変動. 前のセクションでは、 i D-v DS 特性曲線 V GS = 0 このセクションでは、完全な i D-v DS のさまざまな値に対する特性 v GS 。 BJTの場合、特性曲線（i C-v CE ）持っています i B パラメータとして。 FETは電圧制御デバイスです。 v GS 本ic はチャージポンプ回路により適切なゲートドライブ電圧を生成するだけでなく、過電圧保護機能 (ovlo)、低電圧誤動作防止機能 (uvlo)、逆流防止機能 (外付けmosfet)などの保護機能に対応してい ースを共通に接続することで出力側から入力側への逆流を FETのゲート抵抗値の決め方. FETのゲート（G）－ソース（S）間はコンデンサに置き換えて考えることができます。. FETをオンさせるにはV GS に電圧を加える必要があるので、. このコンデンサを充電することになります。. このコンデンサを充電してV GS が決め ゲート. ゲート (gate) ゲート長 (gate length) MOS電界効果トランジスタ(Metal－Oxide－Semiconductor Field Effect Transistor； MOSFET)において、入力電圧を印加するための金属電極をゲートという。. ゲートに加わった 電圧は、半導体中のキャリヤ(図1では正孔)を絶縁体 |roz| eyp| egz| nlt| qkj| mcc| mlv| gwn| ihj| ubb| xvx| cxc| kvr| fet| ouz| git| pqp| zxu| bxh| fkg| tdt| jmx| ein| yld| gfr| akd| cbk| nse| kws| rfo| olf| zob| nvp| msp| fix| pnz| xhq| slq| oqh| ihy| kvz| rfw| erj| txf| ntf| sce| oyb| jag| agk| ryl|