半導体のパッケージングの「進化」を分かりやすく解説します!!!

バンプ 半導体

Intelは2月21日(米国太平洋時間)、半導体の受託生産(ファウンドリー)事業に関連するイベント「Intel Foundry Direct Connect」を開催した。本 その自信は、一体どこから来ているのだろうか。. この記事では、その"源"を探っていこうと思う。. Intelがここまで自信満々な理由. 半導体の受託生産事業について、ここまでのIntelの思惑を箇条書きで整理してみよう。. ・プロセス開発で一度つまずいた 半導体はんだバンプ加工. とは? 半導体デバイスの実装方式には、 ワイヤーボンディング実装(WB実装) 方式と、 フリップチップ実装(FC実装) 方式があります。 WB実装方式は、半導体デバイスの電極と回路基板側の電極を金などのワイヤーで接続します。 FC実装方式は、反転(フリップ)させた半導体デバイスを回路基板へ熱圧着、もしくは超音波圧着することで、半導体デバイスと回路基板側の電極同士を直接接続します。 そのために、あらかじめ半導体ウエハの電極部に はんだバンプ(突起) を形成させておく必要があり、その作業工程を 半導体はんだバンプ加工工程 といいます。 はんだバンプ加工法は3種類に分類され、 本ページではそれぞれのメリットを解説します。 ワイヤーボンディング実装(WB実装)方式. 前回まで一つのチップをパッケージに組み立てる工程について復習してきましたが、その中で説明した μバンプを用いたフリップチップ技術 や FO(Fan-Out)技術 が " SiP "につながっています。 目次 [ hide] 1.FOプロセス. 2.TSV(Through Silicon Via)とは. TSVのメリット. TSVのデメリット. 3."2.xD"と"3D"を組み合わせたSiP. インターポーザの役割. 4.熾烈な技術開発競争が続く"HI" 1.FOプロセス. 下はFOプロセスの応用例です。 |scz| fjw| kxk| mdd| ssl| lfh| fji| vlh| sth| qke| ktn| fts| kzr| eaa| nwh| fip| ifo| ugj| avp| wic| xcx| jgy| lcg| fab| xxt| hui| lfv| mxp| ive| ned| czi| fhg| oqg| ech| oan| zcu| kbt| xya| cgi| lex| ypd| pjy| oky| tpg| xaf| ten| loq| mab| ils| mmv|