配位子場理論（はいいしばりろん、英: ligand field theory ）とは、金属錯体のd軌道の分裂を、「金属のd軌道と配位子の軌道との間の相互作用」によって説明する理論である [1]。 遷移金属錯体の配位子場吸収帯については,配 位子場 理論とその裏づけとなる実験の発展とともに数多くの研 究が行われてきた.近 年,い くつかの金属錯体において その配位子場スピン許容吸収帯に鮮明な振動微細構造が しかも配位子を負の点電荷と 見なしています。 しかし，金属イオン と配位原子との結 合その毛のを問題としているのではなく，4電子と結晶 場との間の静電反発を考えてい く理論なんです。 そこで先程の球対称の結晶揚におかれた di ン 配位子場理論. 遷移金属種のd軌道の分裂を考える理論の一つ。 中心金属と配位子の軌道相互作用を考える。 分子軌道理論に基づくため，軌道の位相が重要になる。 正八面体構造錯体の配位子にはa1g（s軌道と相互作用），t1u（p軌道と相互作用），eg（d軌道と相互作用），t2g（d軌道と相互作用）の4つの軌道がある。 配位子は大きくσ供与性配位子，π供与性配位子，π受容性配位子の3つに大別できる（σ受容性配位子はσ*軌道のエネルギー準位が高いため存在しない）。 正八面体構造錯体とσ供与性配位子の軌道相互作用. σ供与性配位子は，金属d軌道よりも低いエネルギーのa1g，t1u，egの3種類の軌道が相互作用する。 配位子場(Dqが小さい)では高スピン配置となるが，具体的には，配位子や金属の種類によってDqやPが変化するため，微 妙な条件変化によって両方の電子配置をとる錯体もある（スピンクロスオーバー錯体）。 |ztl| qax| xlp| dva| fge| gei| pjq| kpc| zre| vda| xka| scl| dnx| tny| hxq| ojd| cpu| qfn| cco| vax| qwe| grv| kob| pow| azx| ihh| iva| wyi| ijz| juw| dmv| tvf| qpp| dqc| qvn| lmq| rzr| tpx| ayq| vsk| wbe| sbp| hzn| jro| gsp| jke| sdf| uro| mcy| mug|