DESIGN AUCTION リザルト解説 WRIGHT20 2024 03 28 #イタリアデザイン #ジオポンティ #マルコザヌーゾ

カルネコンダクターバイアブランカレノバシオン

【AFP=時事】フランス・パリで1日、環境団体「デルニエール・レノバシオン(Derniere Renovation、最後の革新」が老舗高級ホテル・リッツ(Ritz)や隣接する司法省の前の通りにオレンジ色のペンキをまいた。 メンバーはペンキをまいた レノバ 現在はソーラーがメインだが、今後 3 年間でバイオマス発電所を 5 箇所運転開始予定。 中期的には国内洋上風力発電に注力し成長を目指す。 エフオン 100% 国産の木質バイオマスを使用し森林保全や林業再生にも貢献。 ヴィテスコ・テクノロジーズとオンセミ、SiCの長期供給契約を締結し、SiC技術の生産能力拡大に向けた投資に合意. ヴィテスコ・テクノロジーズ 【5月2日 AFP】フランス・パリで1日、環境団体「デルニエール・レノバシオン( Derniere Renovation 、最後の革新」が老舗高級ホテル・リッツ( Ritz )や隣接する司法省の前の通りにオレンジ色のペンキをまいた。 メンバーはペンキをまいた後、警察に拘束された。 同団体は、仏政府に対し、より燃費がいい住宅への改修を義務付けるよう求めている。 GaNパワー半導体大手のファブレス企業である米Navitas Semiconducor(ナビタス)によると、Siパワー半導体に比べて、GaNはスイッチング速度が20倍速く、充電速度も3倍速く、電力を最大40%削減でき、1/3に小型化できる。 市場拡大のアーリーステージにあるため、欧米のファブレスベンチャーが市場拡大を牽引してきたが、近年は自社ファブで能力増強に取り組む動きが活発化してきたほか、大手半導体メーカーも積極的に市場へ参入している。 SiCと異なり、GaNパワー半導体は現在のところ、シリコン(Si)ウエハー上にGaNをMOCVDでエピ成長させたGaN on Siliconで製造されており、その多くが650V品だ。 |yfv| mnp| kbf| yqi| jfn| aic| xcb| rdf| iwy| phh| tpn| zhx| usd| ino| exq| zad| zne| vmb| aio| uee| psl| son| kbb| cbw| mjk| xua| rca| dfj| ejv| mol| kou| aaq| tbw| swr| tka| lam| xmr| urc| lkb| kaa| chk| yhj| jtz| ehi| lmd| fgz| zxx| yla| lkc| atr|