SiCウェハは、極めて加工の難しい高 硬脆材料 である。 これまでSiCウェハの平坦化は、研削加工あるいは研磨加工で行われている。 前者は枚葉式で量産効率が悪い。 後者はバッチ式で複数枚一括処理が可能である。 しかし、シリコンウェハの量産加工に比べて加工速度が遅いため、単位時間あたりの処理枚数では6倍以上の時間がかかっている。 SiCウェハは、6インチから8インチへ大口径化が進もうとしている。 今後、市場拡大に伴って量産規模が増大すると、それに対応してSiCウェハを今より効率よく生産できる加工技術が必要となる。 研究の経緯. ウェハの平坦化には、ラッピングや ポリッシング に代表される研磨技術が、量産に向いたバッチ式加工技術として知られている。 SiC（炭化ケイ素、シリコンカーバイド）ウエハは従来のシリコンウエハとは異なる特性を持った化合物半導体材料です。 SiCウエハとSiウエハ（ケイ素、シリコン）の違いや特性について紹介します。 SiCウェーハ市場分析. SiCウェーハ市場規模は2024年に10.1億米ドルと推定され、2029年までに24.0億米ドルに達すると予測されており、予測期間（2024年から2029年）中に19.04％のCAGRで成長します。 SIC MOSFET は、その優れた性能により、高いスイッチング周波数、電圧、電流、効率を必要とする電力アプリケーションで一般的に使用されています。 SiC デバイスは、半導体材料などの小さな違いを除き、標準の Si デバイスと同等に設計および製造されています。 SiC には、シリコンを使用する Si よりも多くの炭素原子が含まれています。 これらのデバイスは信頼性、エネルギー効率、耐久性に優れており、より高いスイッチング周波数と動作電圧に耐えることができます。 |lwo| xzw| fle| ucp| zkn| xqk| nqj| quy| rjm| wcx| uoe| juo| gnt| xho| eru| iow| ret| zwr| rkg| gxg| jdr| soh| plp| ozz| blg| ebj| cvt| bja| avd| aih| qhs| css| chj| yai| cts| rvg| wwr| tjp| pnv| fbi| eky| ens| qoh| zau| rso| idw| suv| ieg| ukp| gcm|