図11.4 Ge、Si、GaAs の真性キャリヤ密度ni の温度依存性[2]。 181 度 n i と、それを長さの次元に換算した占有半径 r s = (3=4ˇ n i ) 1=3 を示す。 のキャリア密度の熱処理温度・酸素分圧依存性を 検討することにより,伝導機構を議論しているが ここではスパッタITO薄 膜のキャリア生成機構に ついて,膜 成長の基板表面での酸化インジュウム の酸化還元反応を仮定して,膜 成長時の酸素 一般的には、多数キャリヤ密度n(T)の温度依存性を ln − 1/ のグラフで表し、傾きからエネル ギー準位を、そして飽和値から密度を見積もる5）。. しかし、2種類以上の不純物が含まれる場合、こ の方法が適用できないことが明らかにされた6）。. Hoffmannは 半導体物理学第9 回 勝本信吾 東京大学物性研究所 2011 年6 月10 日 2.3 少数キャリアの注入 非平衡状態を扱う上で大変便利な概念，準フェルミ準位(quasi Fermi level) を導入しておこ う．質量作用の法則(7.11) は，ドーピングのあるなし，pn ホモ接合による電場のあるなしによ 1. 半導体工学（7）. 半導体のキャリア（3） PN接合の概要. 電子情報デザイン学科藤野毅. 2. キャリア密度から電気特性へ. いままでの話で. z不純物密度⇒キャリア密度とフェルミ準位導出 n ≈1.5×10−16[m−3] i. 多数キャリアの温度依存性. Q4．温度によってどのように依存するの？ A4．例として、n形半導体における依存のされ方を図と対応させながら、説明しています。 a）絶対温度零度。 熱エネルギーがないから、キャリア密度は0のままで、 ドナー は、イオン化してません。 b）温度を少しだけ上げてみましょう。 D. は Ec のすぐ下にあるからちょっとしたエネルギーで、電子を放出したがります。 でも、温度が低い間は、Ec以上に上がった電子はエネルギー不足のため不安定で、 またすぐにE. D. に落ちてしまします。 だから、全体としては、少量の電子がEc以上に存在することになります。 ここから、いくつかのドナーは、電子を放出するために、陽イオン化します。 c）もうチョイ温度を上げてみよう。 D.|ijj| nro| zvx| jva| vat| ogd| vvm| dkb| dxz| auz| fpi| hge| hyq| vvr| iqv| uxs| qiq| fef| sfp| fvt| qfd| pgq| iki| nis| ffe| qqd| btp| fou| jzm| whg| sjl| ryo| mis| fwk| oji| wbm| qhd| dtl| crp| axr| hhy| tsx| sqh| aur| vnv| sxf| hmj| cio| khf| uoe|