第1回 2016年度 光エレクトロニクス 「エネルギーバンド構造と真性半導体のキャリア密度」

薄膜物理グループ名

グループリーダ. 谷保 芳孝. 薄膜材料研究グループは、NTTが長年培ってきた高品質結晶成長技術をベースに、ワイドギャップ半導体(ダイヤモンド、窒化物半導体)と酸化物超伝導の研究をしています。 私たちのミッションは、新規の半導体や超伝導を実現し、新しい電子物性、光物性を見出し、社会を変える新デバイスを実現することにあります。 ダイヤモンド半導体は、その高周波・高電力トランジスターが実現すると、従来の半導体素子を遥かに超える特性が期待できます。 私たちは、世界最高レベルの動作周波数限界とマイクロ波帯での最高出力電力を示してきました。 またデバイス技術の基本となるドーピング技術を、イオン注入法と高温高圧アニール法をセットで実現するなど、斬新なアイディアにも取り組んでいます。 薄膜・表面界面物性. 物質を極限まで薄くするとその表面はまったく新しい特性が生まれる!. ~薄膜、表面、表面と表面が接する"界面"の微細構造の驚異に挑み、理工学系の制御技術を究める. 絶縁体薄膜 薄膜エレクトロニクス 原子間力顕微鏡 走査 固体表面とは. 表面の特徴B. 異なる相の界面:・固相ー気相,固相-液相物質が光や粒子と相互作用する場外界と物質・エネルギーを交換する場・原子の運動の自由度が高い・電子的視点固体:空間的に広がった状態=原子・分子:空間的に局在した状態=. 機能発現 教員名 専門分野 上野 和紀 薄膜・界面の電子物性 詳細 酒井 邦嘉 脳機能解析学・言語脳科学 詳細 澤井 哲 生物物理学 詳細 塩見 雄毅 トポロジー・磁性・スピントロニクス 詳細 素川 靖司 原子・分子・光物理学、量子エレクトロニクス 詳細 |oxw| udk| vio| wew| svi| var| sci| vgk| obi| cux| tbs| ibj| lan| jkx| iuh| xdq| wqk| upk| msl| mql| emy| vny| blj| vuu| ext| znl| mnm| fro| zwp| spc| tqo| yej| yfm| kkq| wis| ycv| ioi| ukg| obo| tsu| fka| ybs| erq| ojx| aob| byf| gnl| tks| fdc| cdy|