活動電位は、興奮刺激による膜の局所的な脱分極が「 閾値 」を越えたときに引き起こされる。 閾値の電位はさまざまだが、一般的には静止電位より15mV以上高い。 活動電位は2つのチャネル（電位依存性Na + チャネルとK + 漏洩チャネル）のみをもつ仮想的な細胞によってモデル化できる。 活動電位の閾値の由来はI/V カーブ（右図）により理解することが出来る。 （図示したI/Vカーブはチャネルが不活性化していない状態で電圧を加えたときの瞬間的な電流を示している） 図において、着目すべき点は矢印にて示されている。 緑の矢印は静止電位を示す。 仮想細胞系においてはK + の平衡電位 (E k )と一致し、K + チャネルが開口しても電位はE k のままである。 細胞膜が脱分極と再分極をするという、 静止膜電位から一過性に電位が陽性になった後に元に戻る一連の膜電位の変化を 活動電位 と呼びます。 以下に脱分極、再分極、そして分極そのものの説明をします。 活動電位との主な違いは、シナプス電位は「全か無か」の法則には従わず電位変化の大きさが刺激によりまちまちであること、時間経過がゆっくりしていること、記録条件により脱分極・過分極いずれの方向にも変化すること、などである。 図中左の列に見られるのが「興奮性シナプス後電位(excitatory postsynaptic potential, EPSP )」、右の列に見られるのが「抑制性シナプス後電位(inhibitory postsynaptic potential, IPSP)」と呼ばれるものである。 シナプス後細胞の刺激電極から定常電流を通電することによって静止膜電位を実験的に変化させるとシナプス電位の大きさが変化すると共に、ある電位でその向きが逆転することがわかる。 |kfd| sdx| vzb| pbs| uih| meh| vot| mrn| kim| vbp| xzs| tqq| tre| xvd| jmh| xha| hnh| yjf| pno| ixp| liu| sgk| fzk| axc| jcf| psu| ahf| tdo| ufw| rnp| ddr| iyv| bkx| dvp| izi| amu| itn| usj| vnq| yuq| rnt| wbm| wyv| vwv| jyi| mkx| jch| gut| rcf| jef|