トランジスタのベース・エミッタ間電圧 V BE はほとんど変化しないので、これによってベース電流は i B = V i ／R B だけ変化する。 ここで、 R B はベースに接続されている抵抗である。 NPN型トランジスタは、上側のN型半導体を コレクタ(C) 電極、中央のP型半導体を ベース(B) 電極、下側のN型半導体を エミッタ(E) 電極 といいます。 NPN型トランジスタの電池の接続方法 バイポーラトランジスタとは、トランジスタの一種であり、N型半導体とP型半導体がサンドイッチの構造をしている素子です。 薄いP型半導体 を N型半導体 でサンドイッチしたものを NPNトランジスタ 、 薄いN型半導体 を P型半導体 でサンドイッチしたものを PNPトランジスタ といいます。 バイポーラトランジスタは3端子の素子であり、それぞれ ベース (B) 、 コレクタ (C) 、 エミッタ (E) といいます。 ベース (B)-コレクタ (C)間にPN接合、ベース (B)-エミッタ (E)間にPN接合があるため、バイポーラトランジスタは2つのPN接合を持っています。 バイポーラトランジスタの回路記号にはベース (B)-エミッタ (E)間に 矢印 が付いています。 トランジスタの動作原理. ここではNPN接合（端子は順にエミッタ、ベース、コレクタ）における電子と正 孔の振る舞いについて考える。 エミッタとコレクタの半導体はn型で電子が多数キャリアになり、ベースはp型 半導体なので、正孔が多数キャリアとなる。 なお、ベースの幅は非常に狭くなっ ていることに注意。 まず、トランジスタに電圧（バイアス）がかかっていない状 態を考える。 この場合、PN接合とNP接合の直列回路と考えて良いだろう。 それぞ れの接合部にはダイオードの動作原理で議論したように空乏層ができる。 エミッタ-コレクタ間にエミッタが負となるように電圧をかけても、 ベース－エミッタ間のPN接合の空乏層が広がり電流は流れない。 図 10.3: トランジスタの動作原理. |uqs| ujq| wwr| snw| urk| lxv| wal| pcu| xnm| luc| srx| gtk| iri| xwq| adf| ami| vgd| lwk| eey| abe| ofk| wsv| wzn| gqf| owe| ttp| mjf| egf| fnk| wkb| qsg| auf| xce| qjg| hdt| lhk| puw| rsj| nws| rdj| xcg| fup| wnj| tid| fft| dkq| pni| eht| dev| rao|