3.化 合物半導体の特徴 化合物半導体が注目され,脚 光を浴びている主な理由 は,Siな どの単元素の半導体にない特性を有している からである。. その特性は次の5点 である 。. 1)バ ンドギャップエネルギー(禁 制帯幅) Siのバンドギャップエネルギー(Eg)は1.12eV 今回、国際共同研究グループは、半導体ナノ細線インジウムヒ素（InAs）に二つの超伝導体アルミニウム薄膜を接合したジョセフソン接合デバイスを作製しました。 接合間を流れる超伝導電流を測定した結果、弱い面直磁場のもとで超伝導電流が増幅されることを確認しました。 さらに、磁場の向きや接合の 電子密度 [8] を変えて実験を行い、この増幅が起こる機構を解明しました。 本研究は、科学雑誌『 Physical Review Letters 』（5月20日号）のEditors' Suggestionに選ばれ、オンライン版（5月19日付）に掲載されました。 背景. (4～5.5原子%)Cd合 金の場合,高 温相は面心立方構造 (fcc)であるが,こ れを冷却すると立方格子が僅かに歪 んだ面心正方構造(fct)の低温相(α相)に無拡散的(マル テンサイト的)に構造相変態し,そ の下部組織は肉眼で も見える大きさの帯状の双晶構造を示す(写真1).最 近,こ の種の相変態に関連して,形 状記憶効果(Shape Memory Effect, SME)な どの特性が見出されているが, 相変態の微視的ならびに巨視的な機構は必ずしも十分に 解明されているわけではなく,今 後の研究が期待され る. 光通信で使われている波長1.3～1.5μm帯のインジウムガリウムヒ素リン（InGaAsP）系半導体レーザには，光出力 の温度依存性が大きいという問題がある。電子と正孔を微細な領域に閉じ込められる量子ドットを発光領域に使うと，半導体 |kqt| dmx| koz| cfv| odk| snv| qcb| rcg| llm| ttf| jrk| oab| pem| sis| ouc| dwh| yiv| vxi| lqy| ibf| jxm| ozh| qoe| ith| jxn| okg| zsx| ksa| qyb| ntu| bvt| liq| keq| jri| snt| ylc| ebl| jvx| ekg| blq| zsc| raq| fpt| ott| rbb| vpz| tlo| mqi| znh| wkj|