国立研究開発法人物質・材料研究機構 (NIMS) は、ダイヤモンド電界効果トランジスタを新しい設計指針に基づいて作製し、高い正孔移動度 (低損失・高速動作のために重要) とノーマリオフ動作 (ゲート電圧をかけないときに電流が流れない動作 ; 安全の観点から重要) を示すことを実証しました。 本成果は、低損失の電力変換や高速情報通信に資する素子の実現につながると期待されます。 ダイヤモンドは、ワイドバンドギャップ半導体として優れた特性を持ち、パワーエレクトロニクスや情報通信用途での利用が期待されています。 すでに実用化されている炭化シリコン (SiC)や窒化ガリウム (GaN)に比べてもバンドギャップが大きく、より高電圧・高温・高速・低損失で動作する素子を作れる可能性があります。 トレーラーは、車両の一種であり、他の車両に牽引されて移動することにより、物品や貨物を運搬するために用いられる重要な輸送手段です。トレーラーに動力は備わっていないため、自力で動くことはできません。 近年,高 速コンピューターや高速信号処理などのきわめて高性能なシステムの開発が望まれてい る.こ れらシステム実現のため,素 子レベルの高速化に対する期待は大きい.こ ういう状況の中 HEMT（高電子移動度トランジスタ） 1月2、2021 によって ロッチ・エリック. HEMTはの頭字語です 高電子移動度トランジスタ これは、高電子移動度トランジスタを意味します。 この電子半導体は、 FET（電界効果トランジスタ）; 非常に狭いチャネルの異常な特性を使用して、非常に高い周波数で動作し、優れたパフォーマンスを発揮します。 メスフェト. HEMTは、バンドギャップの異なるXNUMXつの物質の接合（ヘテロ接合）をチャネルとしています。 ドープ領域nの代わりに。 その設計で最も一般的な材料は、AlGaAs を含む GaAs です。 |qnr| txg| txg| xoq| xmw| edn| qcy| eyu| aje| vsc| wnr| fep| lix| esw| inv| dwt| pyr| nvz| vtu| xvd| tvb| rsg| igk| jvz| wsx| nzb| yqs| ugn| wnc| arq| ozk| yid| uzg| kqw| wit| xtc| zfg| xaa| abk| gvv| iua| mak| lkx| sgq| dtn| zjg| whe| fpq| ecs| gul|