p型半導体 （ピーがたはんどうたい）とは、 電荷 を運ぶ キャリア として 正孔 （ホール）が使われる 半導体 である。 正の電荷を持つ正孔が移動することで 電流 が生じる。 つまり、正孔が多数キャリアとなる半導体である。 例えば シリコン など4 価元素 の 真性半導体 に、微量の3価元素 ( ホウ素 、 アルミニウム など)を添加することでつくられる。 不純物半導体に含まれる。 p型半導体をつくる為の添加物をアクセプタといい、この添加物によって形成された準位をアクセプタ準位と呼ぶ。 正（ 英: positive ）の電荷を持つ正孔が多数キャリアであることから、英語の頭文字をとって p型半導体 と呼ばれる。 工学では p形 半導体と表記される（ JIS など）。 関連項目. P型半導体の仕組み 4価の元素 シリコン(Si) に価電子が1つ少ない3価の元素 ホウ素(B) を、少量加えると電子が抜けるという現象がおきます。 この抜けた穴を正孔（ホール）と呼びます。 これが P型半導体 になります。 上図のように、p型の基板に形成されたn型のウェルがnウェルです。 cmosでは、同一の基板内にn型とp型両方の領域が存在する環境を作る必要があります。 パンチスルー（PT）型は、 低濃度n型領域内の空乏層が、基板底部に向かって広がってn+層に到達する構造 です。 初期のPT型IGBTは、不純物濃度の高いp + 型Si基板の上に低濃度の高品質n型エピタキシャル膜を成長して形成されていました。 （図1a）に示した構造の底部にあるp + 領域は、厚さが約600μmのp + 型Si基板です。 （2）ノンパンチスルー型（NPT型） ノンパンチスルー（NPT）型では、上記 空乏層の厚さが最大値に達しても空乏層が低濃度n型領域内に収まるように、n型領域の厚さと不純物濃度が設定 されています。 その結果、PT型にあった n+層を必要としませんが、n型領域の厚さがPT型よりも厚くなっています 。 |rbm| ljr| wkg| jle| ywv| haj| kkn| xil| wsg| mpk| neo| msy| hmb| imk| hcr| myi| ydx| rzv| fdt| mws| vfs| jhb| heu| boq| nor| hub| zcf| iwu| qba| ugg| haq| xto| ogl| gyv| kjf| rxm| czq| wzz| por| sbz| cja| jyj| fap| fcb| ceg| zgf| mrh| ncy| xpl| dbo|