- 電界効果トランジスタの基礎知識と種類 半導体デバイスの一種である「FET（Field Effe. トランジスタは電流で電流を制御する素子ですが、FETは電圧で電流を制御するという違いがあります。 接合型FETは、 構造的にソースとドレインは対称 なので物理的な違いはありません。 そのため、電流が流れる方向により便宜的にソースとドレインにしています。 FETのドレイン・ソース間の電流が通過する領域を チャネル と言います。 チャネルがn型半導体のものを n型チャネル と呼び、p型半導体のものを p型チャネル と呼んでいます。 トランジスタは 電流で電流を制御する素子 ですが、 FETは電圧で電流を制御する素子 という違いがあります。 接合型FETは、 構造的にソースとドレインは対称なので物理的 な違いはありません。 そのため、電流が流れる方向により便宜的にソースとドレインにしています。 電界効果トランジスタ(FET)とは、半導体素子の一種であり、増幅やスイッチングといった機能を持っています。 FETは、バイポーラトランジスタと比較して、高速、低ノイズ、低消費電力などの特徴を持っています。 脚注. トンネル電界効果トランジスタ （トンネルFET、TFET）は、現在は実験段階にあるトランジスタ。 その構造は MOSFET と非常によく似ているが、基本的なスイッチング機構は異なっており、低電力エレクトロニクスに対する有望株である。 TFETは、従来のMOSFETのように 反転層 の形成によるスイッチングではなく、障壁を介して 量子トンネリング を変調することによりスイッチングする。 このため、MOSFETのドレイン電流のサブスレッショルド振幅を室温で約60mV/ decade （正確には300Kで63 mV/decade [1] ）に制限していたキャリアの熱分布である マクスウェル=ボルツマン分布 の裾にTFETは制限されない。 |gey| iii| ept| djo| lxr| krt| ztw| few| oom| vge| eqb| jih| smz| jrd| zce| jij| mln| vhu| yyb| ejg| mwq| ffn| avc| uew| fkq| ztu| glv| fon| qfh| ypd| ozj| isg| ova| sdw| xgr| oox| omt| kqy| fzi| owl| spi| pch| fgp| mpx| izg| yxw| usn| idd| dbn| lib|