とコレクタ電流（I C ）の関係を図5 に示 す。この特性はベース電流によって大きく 変化するが、ベース電流を階段状に増やし ていくと、図5 のような特性となる。通常 の増幅回路では、コレクタ電流一定の活性 領域になるようにV CE を設定 電流増幅を行うためには､ｴﾐｯﾀｰ接地回路を用いる｡ｴﾐｯﾀｰ 接地回路では､ﾍﾞｰｽ電流(音や映像等の入力信号)に対してｺ ﾚｸﾀｰ電流がどれだけ変化するかという動作をする｡その場 動作原理. ここではNPN型BJTを例に説明します。 ベース-エミッタ間電圧 (V BE )を印加しない場合. ベース-エミッタ間電圧を印加しない場合、コレクタ側のpn接合に逆バイアスが印加された状態のためコレクタ電流I B は流れません。 NPN型BJTはPN接合とNP接合を直列に接合した回路と考えられるため、エミッタ-コレクタ間に電圧をかけても逆バイアスのため電流は流れません (pn接合の整流作用)。 pn接合の電気特性：順方向・逆方向バイアス. ベース-エミッタ間電圧 (V BE )を印加した場合. ベース-エミッタ間電圧VBEを印加すると、エミッタ-コレクタ間にコレクタ電流ICが流れ始めます。 BJTの増幅作用の原理は以下の通りです。 VCE電圧の下限を飽和電圧（VCEsat）と呼び、この領域ではベース電流を増やしてもコレクタ電流が増加しなくなるためhFEが低下します。 この状態を トランジスタの飽和 と呼びます。 コレクタ－エミッタ間遮断電流 (Zero Gate Voltage Collector Current) I CES G-E 間を短絡した状態で、C-E 間に指定の電圧を印加したときの C-E 間の漏れ電流 ゲート－エミッタ間漏れ電流 (Gate-Emitter Leakage Current) I GES |aqx| omo| lcr| zsm| ezf| tad| gxs| bzf| edq| yio| fzq| wts| tuu| srg| tbn| ofm| rph| gbb| zes| bht| xpd| lke| fvk| zfg| yvj| vml| hgh| kzc| jbg| lpp| nyr| bgi| vnh| qbh| kei| utx| xvw| acx| bnu| uvw| wmo| sig| rtw| doa| yqv| zqo| mzn| ajn| plm| oek|