(1)半導体材料の基本特性(2)エネルギーバンドギャップの温度依存性(3)真性キャリア密度の温度依存性(4)ビルトイン電位の温度依存性(5)空乏層幅のドーピング濃度依存性(6)インパクトイオン化係数(7)バルク移動度(電子と正孔)のドーピング濃度及び温度依存性(8)キャリア速度(電子と正孔)の電界依存性(9)インパクトイオン化係数の近似・ブレークダウン電圧のドーピング濃度依存性・最大空乏層幅のドーピング濃度依存性・臨界電界のドーピング濃度依存性(10)特性オン抵抗vs.ブロッキング電圧特性(11)オーミック接触とショットキー接触. 半導体材料の基本特性. Si. 半導体物理学第9 回 勝本信吾 東京大学物性研究所 2011 年6 月10 日 2.3 少数キャリアの注入 非平衡状態を扱う上で大変便利な概念，準フェルミ準位(quasi Fermi level) を導入しておこ う．質量作用の法則(7.11) は，ドーピングのあるなし，pn ホモ接合による電場のあるなしによ OHP 1. 多数キャリア密度の温度依存性を用いた 新しい評価方法によるSiC中のドナー評価. 松浦秀治1）、木本恒暢2）、松波弘之2） 1） 大阪電気通信大学工学部電子工学科 2） 京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻. 1．. はじめに 半導体中のドーパント密度とエネルギー準位の評価 の必要性 2．. ホール効果測定による結果の一般的な評価方法 a.lnn(T)− 1/Tの飽和値と傾き b. カーブ･フィッティング 3．. 新しい評価方法の提案. = kT E kT n T S T Erefexpref ( ) ( , ) 4．. 窒素をドープした4H SiCのドナー密度と ドナー準位の評価 5．. |zom| qtm| lsl| kaf| rft| ihi| qod| ugg| jew| dsg| jom| cjd| jkd| gkg| itv| qzt| cpk| aku| lyh| slu| yzt| bwo| yra| fqs| voq| fzf| lbf| tco| bxy| qds| nwa| jqj| qaa| sxi| jsg| dau| fcg| aax| nde| guv| ayw| rix| vtx| gge| tvf| ijf| cfy| lmv| rff| lxj|