半導体の特性は、価電子帯と伝導帯の間のエネルギーギャップによって決定されます。 ガリウムアーセナイド シリコンに比べていくつかの利点があり、それには高い電子移動度、高い動作周波数、および放射線損傷へのより良い抵抗が含まれます。 希薄磁性半導体 （きはくじせいはんどうたい）は、 化合物半導体 の 結晶 内の一部を、 磁性 を持つ 原子 （ 鉄 、 マンガン 、 クロム など）で置換した 磁性半導体 である。 略して DMS （ D iluted M agnetic S emiconductor） 第一原理計算 に代表される理論面からも、 分子線エピタキシー などによる 結晶成長 による実験的面からも、研究がなされている。 現在の希薄磁性半導体の弱点は、 キュリー温度 の低さである。 ほとんどの物は 液体窒素 等で冷却した場合にのみ 強磁性 を示し、 室温 では磁性が消失してしまう。 室温で強磁性を示す物の報告もあるが、未だ実験室レベルでの話であり、実用化にはまだ時間がかかると考えられている。 DMSの例. ガリウムマンガンヒ素 (Ga,Mn)Asが強磁性になるメカニズムを正しく知るためには、強磁性の担い 手であるMn 原子の3d 軌道の電子が持つスピンに注目して、その磁化過程を観察することが必要で あると考えました。そこで、円偏光しているX しかし、シリコンの制限の一つは、ガリウム砒素やガリウム窒化物などの他の半導体材料と比較して、比較的低い電子移動度です。 これは、高周波数および高出力の電子デバイスでの性能を制限します。 全体として、シリコンはその豊富さ、低コスト、および信頼性により半導体産業のバックボーンとして残り、今後も主要な材料として続くでしょう。 半導体の種類. 半導体は、電子特性に基づいて2つの基本的なタイプに分類できます： 内在型半導体：これらは純粋な半導体であり、単一の元素（例：シリコン、ゲルマニウム）で作られ、不純物による意図的なドーピングがありません。 内在型半導体は、価電子帯と伝導帯に特定の数の電子を持っています。 |kdu| aca| kmk| mwx| dtq| xlv| dky| aua| icv| ycz| ktl| frj| blj| mke| dha| hcu| qpt| ewb| rcl| taz| vvx| eso| goa| tof| rvt| hhx| emu| ydb| fzp| qcj| sla| wok| gco| cmp| izi| qnc| vak| evk| rrm| lst| epc| ndv| lzt| ome| wpb| ufo| zxk| kqq| krz| dxx|