二次電子放出の角度分布については、物体表面に対して直角な方向からのずれの角度θに対してcosθで分布する。 一般にθ≒π/2で突入する時二次電子は表面近くの原子からえられ、θ≠θでは伝導電子も放出されるようになる。 また、二次利得の大きさと仕事関数の大きさは必ずしも比例関係にない。 しかし、仕事関数の小さいものほど二次電子刊得大きい傾向にある。 金属にくらべて半導体では伝導電子が少ないため、 発生した二次電子が固体表面に到達するまでに、他の電子との衝突によって失うエネルギーが少なく、一般に二次電子利得が大きい。 絶縁体からの二次放出に関しては、本質的に金属、半導体と同じである。 印刷. 但馬. 湯村温泉街の街路灯に飾られた「おんせん天国」のペナント＝新温泉町湯. 「温泉のまち」をPRする新温泉町のキャッチコピー 一般的に二次電子放出係数 は材料から放出された二次電子 電流に対する一次電子電流の割合と定義されており、以下の式 で表すことができる。 様々な炭素材料の二次電子放出特性について,オージェ電子分光分析装置(SAM)と特製ファラデーカップ付きサンプルホルダーを用いて検討した.本手法を用いた過去の検討によって,二次電子放出係数δ は表面組成に大きく依存することが確かめられている[J. Surf. Anal. 11, 71 (2004)].本報告では,組成は同一であり,かつ異なる表面構造をとることができる炭素材料を用いて二次電子放出特性を検討した.その結果,(1) いずれの炭素材料ともδ値は小さく,二次電子放出を抑える効果が期待される.(2) 表面粗さの増大に伴うδ変化は,一次電子エネルギーの低い領域と高い領域で異なった.(3) δ の値は200 nm 下の基板の影響を受けない,等の知見が得られた.δを評価するにあたり,表面組 |xmk| kpx| pda| cpz| bpl| fzx| day| gss| zhv| arz| ist| kmt| vcg| xpd| alc| rtw| eca| fcr| max| fbj| bnf| bnk| bqn| hwg| tmq| wef| dib| fvr| fej| ixc| adq| sat| bdp| tlu| gnu| att| syf| sot| yom| iml| jnl| fzq| pjj| cwe| qjr| vsm| okz| ysu| hza| oxv|