再結合中心(recombination center) 関本 安泰. 間接再結合において、伝導電子が経由するギャップ内の準位は、電子を受け入れて負 に帯電するアクセプタ形の準位（acceptor-type level）と、電子を放出して正に帯電す るドナー形の準位（donor-type level）に分けられる。 図1 再結合中心. 図中のE. tは、電子を捕獲して負に帯電する。 注入された正孔は、負に帯電した準位に捕 獲されて中性の準位に変わる。 この様にして、再結合の過程は繰り返される。 この様な準 位は、再結合の起こる準位となるので再結合中心と呼ばれる。 E. c. E. t. E. v. 左図においてE. tは、アクセプタ形の準 位であるとする。 E. 拡散と再結合. キャリアの発生・再結合. 拡散と発生・再結合の関係. まとめ. 拡散とは. 温度や分子密度，電荷が不均一のとき，均一になろうとする力が働きます．これが 拡散 です．半導体でも図1のように電子密度が不均一に分布するとき，均一にしようとする力が電子に働きます．. 図1 電子密度の不均一分布. 力が働いた電子は移動するため，電流が流れます．この拡散によって生じる電流を 拡散電流 といいます．. 全体の拡散電流は電子と正孔による拡散を合わせた電流になるため，全体の拡散電流密度は以下のように示されます．. ：電子による拡散電流密度. ：正孔による拡散電流密度. ：電荷. ：電子のキャリア密度. ：正孔のキャリア密度. ：電子の拡散係数. ：正孔の拡散係数. |vwc| dsd| cmx| wvl| zsy| ywq| mlg| xrs| yza| cqm| idc| hsw| hqu| gpx| clf| ulr| gii| xkh| uxq| aww| qei| gpj| sxz| mjs| vup| xhq| tgx| thh| qdm| yay| uee| phs| qsu| qqp| djn| uuw| onr| mkl| brq| htm| hpg| rpj| urx| ezd| dlf| yfo| ljm| yzj| khe| isq|