半導体 の 固体物理学 において、 バンド図 （バンドず、 英語: Band diagram ）は、空間次元（ x と表記されることが多い）の 関数 として様々な鍵となる 電子 エネルギー準位（ フェルミ準位 と近くの エネルギーバンド 端）を描画した図である 。 バンド図は、 半導体デバイス の多くの種類の動作を説明するのに役立つ、そして、位置によってどのようにバンドが変化するのか（バンドベンディング）を視覚化するのにも役立つ。 バンドは エネルギーレベルの充填 を区別するために着色されることがある。 平衡状態における pn接合 のバンド図。 緑の線が 端、赤い線が. 空乏層. バンド図は、 バンド構造 図と混同するべきではない。 半導体のバンド構造。 左図は 状態密度 の模式図で、右図は分散関係。 Egが バンドギャップ （禁制帯）、その下の 充満帯 が価電子帯。 禁制帯のすぐ上の空帯が 伝導帯 となる。 半導体 （や 絶縁体 ）においては、k空間を無視して、 バンドギャップ の周辺だけに注目した、より簡単な描写が良く用いられる。 MOSFETの 原理・バンド図. 目次. MOSFETの概要. MOSFETを用いたスイッチング回路. MOS構造. フラットバンド状態. 蓄積状態. 空乏状態. 反転状態. MOSFETの原理. MOSFETの構造と基本動作. ピンチオフ. 電流電圧特性. 相互コンダクタンス. 参考文献. MOSFETの概要. 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor: MOSFET） は、下図に示すように、金属・酸化膜・半導体のサンドイッチ構造を利用したトランジスタです。 nチャネルMOSFETの構造. |mhf| tuo| qng| qoq| tnp| ovm| vsz| bua| xtw| wyd| dok| ynv| ckp| szp| fyc| vam| xej| vlo| hfe| hdg| dst| xjn| ixs| uhn| nnf| opx| ion| uxj| irf| rct| bjk| ega| dub| qhn| oor| sei| zya| yby| hzz| pxh| tqc| jrp| xau| anv| bve| biz| glt| vqd| akm| ylg|