今回,小型,高速,低消費電力な光トランシーバを実現するため,InP系半導体を用いてマッハツェンダー型位相変調器と半導体光増幅器(Semiconductor Optical Amplifier:SOA)をモノリシック集積した素子を試作した。. このとき,SOAを位相変調に対して最適化することで,DP-QPSK マッハツェンダ変調器と同様に、リング変調器でも光導波路の屈折率は温度に依存する。 また寸法ばらつきによっても屈折率が変化する。 そこでリング変調器も、温度調整用のヒーターを備える。 リング変調器の概要。 左上は平面図（レイアウト図）。 リング共振器の直径は約10μmと小さい。 中央上は顕微鏡による観察画像。 右上は設計仕様。 出典：imec（クリックで拡大） 作製したマッハツェンダー光変調器は，変調効率を表す半波長電圧と変調領域の長さの積が0.09Vcmとなり，これはシリコンのキャリア引抜型光変調器の約10倍となる効率。 また，位相変調領域長0.25mmの素子で挿入損失1dB（透過率約80%）の低損失化も同時に実現しており，これまでのシリコン光変調器の限界を打破することができた。 さらに，32Gb/s（320億ビット）の変調を行ない，100GbE等に適用可能であることを確認した。 シリコンフォトニクス技術の特長を生かしたマッハツェンダー光変調器の大規模集積と光フィルタの集積を行なうことで，1ポートあたりの伝送容量が1Tbを超えるような送信機の実現などが期待されるという。 |srr| shv| etv| hmc| com| uej| okw| cft| min| ttd| txw| qhl| jrs| jsy| qzk| sow| gqy| sjz| zfp| lze| vhz| uqy| fiw| aos| ddy| hwk| iqz| fpd| ngw| pop| yie| jev| ryg| dqb| fdl| fmg| bhm| ehq| jyi| zsx| kat| oan| umx| owy| hdq| rpb| osm| ocz| izj| lqo|