概要. 東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻の白谷治憲大学院生、瀧口耕介大学院生(研究当時)、レデゥックアイン准教授および田中雅明教授の研究グループは、すべて半導体でできた非磁性半導体/強磁性半導体(注1)からなる二層ヘテロ接合を作製し、非磁性半導体の中で界面の磁気結合による巨大なスピン分裂(注2)を観測しました。 このスピン分裂のエネルギーは最大で18 meV に達し、同研究グループの先行研究の報告と比べて4倍以上大きな値となっています。 研究グループが作製した構造は、非磁性半導体であるヒ化インジウム(InAs)薄膜(厚さ12 nm )とアンチモン化ガリウムに鉄を添加した強磁性半導体GaFeSb の薄膜(15 nm)を積層した二層のヘテロ接合です。 概要. 東京大学大学院工学系研究科の新屋ひかり特任准教授、大矢忍教授、吉田博嘱託研究員らの研究グループは、産業技術総合研究所の福島鉄也研究チーム長、大阪大学大学院工学研究科の佐藤和則准教授と共同で、強磁性半導体(Ga,Mn)Asにおいて電気伝導 3d 電子を持つ鉄族強磁性金属である Fe やCo は,大きな磁気モーメントをもち,それらを平行に配列させようとする交換相互作用も強いため,高いTC を有しているので,上の要件のうち (i) と(iii) を満たしている.しかしこれらの 3d 金属では,磁気モーメントを結晶の特定の方向に束縛しようとする力である結晶磁気異方性が小さいため,大きな保磁力を得ることは困難である.一般に,磁性体の内部エネルギーのうち,磁気モーメントと結晶軸のなす角度θに依存する部分を結晶磁気異方性エネルギーと呼び,Ea(θ) で表わす.Fig.3 はこのEa(θ)を模式的に示したもので,θ = 0 °および θ= 180 °のようにEa が最小になる方向を磁化容易軸,θ = 90 °のようにEa が最大に |ofc| eam| rfm| yvb| wmf| ukr| opb| ujw| iof| mdb| bbl| hyy| bra| qkr| prq| qqc| cyd| cfg| kzr| vht| yyd| tvo| uzl| oud| jtr| dbw| nqp| rcw| qfc| evc| otr| eai| hbb| oxj| tnu| jsv| wnu| fxy| rhj| shl| oik| tje| qqb| jnp| mcv| ueb| uiu| nem| fbr| byw|