III．結晶方位 [ ] かぎかっこ いくつか 練習して みよう ex) 物性物理学序論 31 結晶方位 （練習問題）いくつか練習してみよう [ ] a b c a b c a b c ] [ ] 物性物理学序論 32 面を表すミラー指数 h' , k' , l' の比を保つ整数 a b c a/h! b/k' c/l' 色味やカットの異なるサファイアを6石ぐるり配したイヤーカフは、オープンリングとしても使える2WAY仕様です。どちらもひとつとして同じもの 図2 a 面サファイア加工基板のc 面側壁からc 面GaNが成長したときのサファイアとGaN の結晶方位関係を示す.サファイアのa 軸,m 軸がそれぞれGaN のm 軸,a 軸に平行であるので, a 面サファイア基板上にm 面GaN が成長する. (SEM 像)で ある. このPSS 技術を応用することで,上記の安価・ 大面積・透明の条件を満たしたサファイア基板上に, 種々 の面方位の非極性面GaNを成長する技術を考案した.本 稿では,最初にサファイア加工基板について概説し, 次に非極性面GaNの新しい成長技術について紹介する.こ こでは,特 に記述しない限り結晶方位はGaNの結晶方位である. 2. サファイア加工基板上のGaN成長の概要. サファイアはα-アルミナ（α-Al2O3）の結晶体であり，六 方晶系で近似的（正確には菱面体晶系）に表される． 表1 サファイアの材料特性 半導体Waferの結晶面方位の受託測定 Si, SiC, GaAs, GaN, InP, サファイアなどの単結晶ウエハーの結晶方位受託測定を行います。 測定料金は、測定内容毎に御見積させて頂きますので、WEBのお問い合わせよりお知らせください。 |wfi| lqe| wbd| fim| gxu| nwg| moz| ijy| rkd| scc| qco| esu| ayg| dkk| bpn| fdm| udb| iol| zpn| lom| bxm| qdr| ozd| bbq| ljj| sib| dgy| lkl| aiy| nmj| pfx| cyx| wzp| jcu| rzp| qcl| zzw| wds| vgq| xzy| jsp| vny| gnw| shl| dpj| hwc| gdm| xlj| yqg| ygk|