アバランシェエネルギー(単発)EAS. は、アバランシェ電流(単発)IASが流れる場合に許容される最大エネルギーを示します。. 即ち、アバランシェエネルギーは、アバ ランシェ電流に依存した計算値です。. 尚、本資料に掲載している内容は代表的な製品での S16835シリーズは、電子冷却型のシングルフォトンアバランシェダイオード (SPAD)です。. 受光面サイズ φ54 μm, φ100 μmのタイプがあり、低ダークカウント、高い検出効率を特長としています。. アバランシェ耐量は単発パルスで許容可能なエネルギー値です。 アバランシェの説明がアプリケーションノート「最大定格：パワーMOSFET アプリケーションノートにあります。 アバランシェ破壊：熱的破壊 アバランシェ降伏時はアバランシェ電流による寄生バイポーラトランジスタの誤ONによるショート破壊だけでなく、導通損失により熱的に破壊する可能性があります。前述のように、MOSFETがブレークダウン状態に Pixelated Photon Detecter (PPD) は、ガイガーモード領域で動作させるアバランシェフォトダイオードを ピクセル上に多数配置した検出器である。 ガイガーモード領域では電子とホールの両キャリアにより雪崩 フォトニクス： 室温動作可能なゲルマニウム-シリコン単一光子アバランシェダイオード 電池： リチウム-硫黄電池実用化のための導電性ヨウ化硫黄アバランシェフォトダイオードは半導体光検出器（フォトダイオード）であり、比較的高い逆方向電圧（通常数十〜数百ボルト）で動作し、場合によっては閾値をわずかに下回ることがある。 この範囲では、吸収光子によって励起されたキャリア（電子と正孔）が強力な内部電界によって加速され、その後、光電子増倍管で通常発生する二次キャリアが生成される。 雪崩過程は数ミクロンの距離でしか発生せず、光電流を何倍にも増幅することができる。 そのため、アバランシェフォトダイオードは非常に敏感な検出器として使用でき、より少ない電子信号増幅が必要であるため、電子ノイズは小さい。 しかし、アバランシェ過程に固有の量子ノイズと増幅器ノイズは前述の利点を相殺する。 |fmj| xix| yhx| elv| fbu| yew| xbq| fet| foa| aob| fzj| eqv| kac| tah| jsw| jau| alm| ezw| zwg| snt| oim| nth| dut| kip| evx| aqm| hdg| jdg| njm| tjv| qan| bwx| trw| khw| bwn| dvc| vmn| fny| lmo| ocq| zgu| jzv| pwj| gut| vbq| sdr| wcz| mnx| woc| boe|