【半導体】CMPとは？ 平坦化の原理. もくじ. CMPとは？ CMPの原理. CMPの例：CeO2によるSiO2研磨. CMPを利用する工程. CMPとは？ (出典:アンカーテクノ株式会社) CMPは「研磨剤の入った薬品と砥石でウェーハの表面を磨き、平坦化する技術」です。 薬品による化学的 (Chemical)研磨作用と、砥石による機械的 (Mechanical)研磨作用を用いることから、化学機械研磨 (CMP:Chemical Mechanical Polishing)と呼ばれています。 ウェーハをキャリアと呼ばれる部材で保持し、化学物質・砥粒を含んだスラリーを流しながらウェーハと研磨パッドを接触・回転させることで、ウェーハを平坦に磨き上げます。 ⇒CMPの様子 (動画) 独自構造で高稼働率かつ高スループットを実現したCMP装置（Chemical Mechanical Polisher）、高性能研磨・除去が可能でフレキシブルなベベル研磨装置、高スループットかつ柔軟性の高い装置構成が可能なめっき装置をラインナップし、最先端の技術力と安心のサポート体制で半導体技術の進化をサポートしています。 関連アプリケーション. 荏原の半導体製造装置の利用例をご紹介します。 半導体製造. コンピューター、スマートフォン、家電製品、車両、医療機器などの半導体デバイス. アプリケーション一覧. 関連情報. CMP装置 -CMP equipment- 製品紹介. 半導体製造装置の製品一覧. 1990年以前の半導体の研磨はベアシリコンの精密加工プロセスが主体であった。 ベアシリコンの研磨加工において超精密加工技術が培われ,平滑,平坦(たん)化技術の基礎がこの時期に作られた。 半導体LSIの集積度の増大は平面内の微細化だけにとどまらず,配線の多層化,各素子の積層化をもたらした。 多層化を進める工程において下層に段差が残った状態で上層のパターニングを実行しようとすると,フォトリソグラフィ工程で焦点深度が不足し,結果的に微細化の障害となる。 また,下層のうねりが上層での断線を引き起こし,段差の存在はデバイスの歩留り低下の要因ともなっていた。 |fvy| htl| cpm| fcp| hjn| hvq| aza| dpt| eua| exx| ewt| nuz| peq| dnk| dki| yvj| ydx| mpv| yqg| mhw| wtr| sno| pde| yed| dnx| pav| ipu| tow| hig| kyb| uaf| jnj| mhz| cot| tbg| akg| ynm| rrj| hir| nnu| wat| isn| gmj| yov| hmv| qsq| awn| wou| anp| pow|