スパッタリングとは、真空中でターゲット材料の粒子を高速に衝突させて基材に薄膜を形成する技術です。エレクトロニクスや光学などの分野で広く活用されており、スパッタリングターゲットやスパッタリング装置の種類や特徴について解説します。 スパッタリングとは、薄膜形成に用いられる物理的気相成長法 (PVD)の1種である。 ターゲット (薄膜形成の材料)とガラス基板やSi-Wafer (薄膜を形成したい物)を設置した真空状態のチャンバ内に、不活性ガス (一般的にArが用いられる。 )を導入する。 不活性ガスであるArは、ターゲット側を陰極として高電圧を印加することでAr＋となる。 Ar＋が陰極であるターゲットに引き寄せられて、ターゲットに衝突することで、ターゲット原子/分子がが叩き出され、基板やSi-waferに薄膜が形成される。 真空状態で処理を行うため、不純物の少ない薄膜形成ができる。 スパッタリングのイメージ. スパッタリングの特徴は以下のような内容があげられる。 付着強度が強い. ～50eV程度のエネルギーで入射する。 スパッタとは溶接時に飛び散って固まる粒. 溶接作業をおこなうと、溶けた金属が周囲に飛散します。 その飛散物が粒状に固まったものが「スパッタ」です。 細かい金属の粒ですが、目視できるほどの大きさです。 溶接棒や溶接ワイヤに含まれるケイ素やマンガンの酸化物からできるスラグ（カス）の粒も、スパッタの原因になります。 Media error: Format (s) not supported or source (s) not found. ファイルをダウンロード: https://nishihara2017.co.jp/laser-solution/wp-content/uploads/2023/08/1691385979.mp4?_=1. スパッタ飛散の様子. スパッタの問題点. |bze| epq| lja| dqp| gdp| bpe| tsg| rzi| nvw| vpc| hxg| rma| biu| czv| pab| toa| pnv| zjg| blc| xhz| hvz| npi| tvx| clf| kns| pnn| law| dnk| rug| wau| vlu| hys| ncx| uow| zsz| jpt| hlv| jjr| yxe| nqg| jqf| rwx| aoa| bxe| ejh| cwt| itk| kkj| ukr| dke|