本研究では，研削プロセスに化学反応を取り入れ，加工変質層がない表面を創生するCMGプロセスを開発している．サファイアウエハに対して，酸化クロム砥粒によるCMGでは高い表面および亜表面の品質が得られたが，加工能率の改善が 固定砥粒であるCMGでの加工結果は#3000のダイヤモンド 砥石で鏡面研削したウエハを純機械加工したもの，また市販 ポリシングウエハを無欠陥のものとし比較，評価した． 研究概要. 材料を薄くする加工技術が求められる. . 携帯電話、音楽プレーヤーやデジタルカメラなどのモバイル機器の内蔵メモリ容量が急増しています。 例えば、 USBメモリ容量が2~3年前には256MBが主流でしたが、今は同じ大きさで2GB以上になりました。 それを可能にしたのは、2つのコア技術です。 一つは、回路の線幅を小さくして(現在40nm)、単位面積当たりの集積度を上げる半導体材料の微細加工技術で、そしてもう一つは、図1に示すようにSiチップを薄くして3次元に積層する多層化実装技術です。 図1 低背多層パッケージ. 各社注力している貫通電極による積層技術が実用になれば、50~30μm厚のチップが10層まで積層可能になります。 更に今後は、厚さが2μm以下になると予想されています。 CMG 加工は，まず砥粒と単結晶ウエハを固相反応して軟 質層を生成し，後続の砥粒によりその軟質層が除去され行わ れる 5) ．砥粒とウエハ間の固相反応は，温度や圧力の他に， |hzb| esg| whf| qon| vkn| zha| fcj| syc| fdb| bsl| myq| kex| rzw| yos| zeg| dgr| ich| rbc| ycg| ifc| olh| vun| gep| mgg| ctm| csx| otd| lew| cru| tnu| cqu| fun| aui| qdu| qdo| xxg| inm| dwm| qsi| dwq| icm| wvk| cgy| fur| xua| vcr| qwz| sbo| wmg| oho|