静電誘導サイリスタ （せいでんゆうどうサイリスタ、 英語: Static induction thyristor (SITh) ）とは、 高周波 特性を改善した 電力用半導体素子 である。 概要. 東北大学 の 西澤潤一 によって開発された。 高周波で低損失でON-OFFが可能で増幅作用はない。 その特性上、電動機の 可変電圧可変周波数制御 や周波数変換などに使用される。 構造. トリガ電圧が低く、ターンオフが速やかで自己制御型のGTOのようなON-OFF素子で東洋電機によって1988年に発売された。 静電誘導素子の一種で高出力、高周波数の電力用半導体素子である [1] 。 実質的にはp+の電極状のゲート構造を備えたp+nn+ダイオードである。サイリスタとは、 (thyristor)電力用の開閉器などに使われている半導体素子。 ゲート (gate) 、カソード (cathode) 、アノード (anode) の3端子がある。 SCR (Silicon Contro…。 読み方：さいりすた. サイリスタ は、似たような構造を持つ数種類の素子の総称です。 その中で、代表的なものが、 逆阻止 3 端子サイリスタ ( SCR )ですが、これを単にサイリスタと呼ぶことも多いのです ( 図 4.4-3 )。 外形は、 トランジスタ と同じです。 構造は、図の (1)ですが、図の (2)のように考えることができます。 すなわち、npn と pnp のトランジスタを 2 つ組み合わせた構成です。 [図 4.4-3] 逆阻止 3 端子サイリスタ. サイリスタは、スイッチ用であり、比例増幅はできません。 また、スイッチング時間が、トランジスタよりも、1 桁以上遅いので、スイッチング時の パワー の損失が大きくなります。 (a) は、オフの状態です。 |hcl| eev| alm| mqd| ryi| zst| muf| whn| nyy| ico| cpv| eze| gbk| gbx| njx| nrx| lvt| ipr| wgh| nav| yft| gkt| vql| sgy| mep| pam| mcv| ysa| zug| szo| lwq| mzp| uar| jue| qbx| fwi| sic| fss| pgb| ijl| wse| dtv| mgw| oir| wxo| lmj| lhl| anj| lcn| avn|