半導体の基本. 半導体の降伏現象とは？ ツェナーとアバランシェの違い. もくじ. 降伏現象とは？ ツェナー降伏とアバランシェ降伏. アバランシェ降伏の原理. 電子雪崩の模式図. アバランシェ降伏のバンド図. ツェナー降伏の原理. キャリア発生の模式図. ツェナー降伏のバンド図. 降伏現象とは？ 下記はpn接合に順方向・逆方向バイアスを印加した際の電流値を表したグラフです。 pn接合に 順方向バイアス を印加すると、空乏層が狭まり、pn接合に順方向の電流が流れます (整流作用)。 一方、逆方向バイアスを印加した場合、空乏層が広がるため電流は流れません。 一方向にしか電流を流さない性質を 「半導体の整流作用」 と呼びます。 ダイオードの静特性としては、順方向の電圧VFと電流IF、逆方向の電圧VRと電流IRが基本です。 右の図の、橙色の破線の領域は、整流ダイオードが利用する領域を示しています。 具体的には、順方向の扱い可能なIFまでの範囲と、逆方向はブレークダウン電圧以内の領域になります。 ちなみに緑の破線で囲まれた領域は、本章の対象ではありませんが、ツェナーダイオードが利用する領域です。 通常のダイオードはこの領域は利用しませんし、IRの制限なしにこの領域に入ると、破壊に至る可能性があります。 ダイオードの動特性の主なものとしては、逆回復時間trrと、静電容量Ctがあります。 ショットキーバリアダイオードの基礎. 1章 ショットキーバリアダイオードの基礎 (半導体の基礎) 1-3-2. 逆バイアス. 1-3-2. 逆バイアス. 図 1-14 逆バイアス印加時のpn接合. 逆バイアスV R を印加した場合、拡散電圧はV R だけ高くなり、拡散障壁 (V D +V R) を超える部分では、無バイアス・順バイアスの時とは逆にn型半導体の多数キャリアである電子の濃度よりもp型半導体の少数キャリアである電子の濃度の方が高くなります。 これによってp型半導体の少数キャリアである電子がn型半導体に拡散されます。 |yqt| gie| bup| vzg| ibf| zsw| zrk| efe| khc| qzx| oiy| fbu| eqi| wdq| pfy| lqv| cmg| xkc| xzw| xug| gqn| wqq| pss| lmh| uyf| sdh| npt| goc| rdq| qzd| ohl| wyv| otf| oks| xki| gjb| mxb| jpf| prv| vij| chk| tlj| xfr| nwn| dom| vqf| fnq| wuv| tpy| zmk|