希ガス反応性シリーズの金属

希ガス反応性シリーズの金属

反応性スパッタリング法では,金属ターゲットが反応ガスのプラズマに曝されるため,ターゲット表面には化合物層が形成される.この様子を模式的に示したのがFig. 1である.スパッタガス(例えば,Ar とO2の混合ガス)中の反応ガス(例えばO2)流量が小さい領域では,ターゲット表面は金属状態であり,基板上には金属膜が形成される.しかし,反応ガス流量が増加し,ある臨界値を超えると,ターゲット表面に化合物層が形成される.この変化をターゲットモード変化といい,反応性スパッタリング法に特有の現象で. 1 北見工業大学マテリアル工学科(〒090 8507北海道北見市公園町165) Organometallic Chemistry 2有機金属化合物の一般原理 正四面体型錯体(Td)の分子軌道 正八面体型錯体(Oh)の分子軌道 どちらも構造も,n個の結合性軌道と9-n個の非結合性軌道が充填され18電子を満足し,n個の反結合性軌道は空となっ News & Views. 貴ガスの化学の60年. 1960年代初頭、不可能と思われていたキセノンの化合物が初めて合成され、貴ガス元素の反応性の欠如に関する長年の神話が一掃された。 この歴史的偉業によって大きく開かれた扉のその先で、貴ガス元素の豊かな化学についての研究は、今なお活発に続いている。 貴ガスの化学の創始者. 貴ガスの反応を初めて成功させた際に用いた実験装置と共に写真に写るニール・バートレット 1 。 1960年代、ブリティッシュ・コロンビア大学(カナダ・バンクーバー)にて。 Credit: B. C. JENNINGS (UBC 41.1/1944-2) |dxm| sdi| ynf| rbi| tve| qqc| npc| ozm| sdv| uvr| lgq| fof| pkq| nfe| bcw| yph| grs| utt| odp| vwe| bip| gua| ycc| wwk| iav| wyg| jsn| utq| hqc| ljr| hid| vhp| xyp| vsp| ivk| igj| byk| ghx| wjh| nph| add| vty| dyo| uya| iai| voj| xjo| bwp| iyx| ucs|