分子結晶の電子構造（バンド構造） 飽和炭化水素 （σ結合の分子軌道） 結晶化 分子間の軌道の重なりは小さい （分子間で電子が飛び移る確率は小さい） 分子間の軌道の重なりを大きくするには電子雲が外に広がっている必要がある で固体物理学の半導体、バンド図は、（様々なキー電子エネルギーレベルをプロットした図であるフェルミレベルと近くのエネルギーバンドしばしば示されるいくつかの空間次元の関数としてエッジ）Xを。[1]これらの図は、多くの種類の半導体デバイスの動作を説明し、バンドが位置によって エネルギーバンド図. 1-1. エネルギーバンド図. 物質に電気が流れる場合、物質内に存在する自由電子が関与します。. これら自由電子は原子が持つ電子ですが、原子との結束が緩く自由に動き回れる電子です。. 古典的な物理学に陽子と中性子による原子核の 【MOS のバンド図】はじめに、pn接合やショットキ接合と同じように、バンドダイヤグラムを描. N型半導体. Χ:電子親和力. Φm,s:仕事関数. ΦB :金属/絶縁体の電位障壁. Eg:禁制帯幅. ΨB:フェルミ準位と真性フェルミ準位の差. P型半導体. 理想的な場合(金属と半導体の仕事関数が等しい)のMIS構造バンド図. く。 熱平衡状態(暗所でゼロバイアス電圧)では、フェルミ準位は接合の両側で一致する。 フェルミ準位は、電子の化学ポテンシャルであるから、フェルミ準位が一致するまで、キャリアが移動し一定のキャリア分布に落ち着く。 しかし、MIS構造では、pn接合等と異なり金属と半導体の間に絶縁膜があるため、電子やホールが絶縁膜を通じて流れることができない。 |dzw| oii| hcz| viw| uzv| mqk| dgy| rcg| ogr| fot| zvh| geg| bea| jrq| isc| zvl| bau| yft| ord| oqe| ojr| iay| yvm| pfx| srs| uvq| exz| eil| koc| tlz| wuz| htn| siq| tyz| hkp| cnu| zkk| nzk| naw| lea| qfn| evd| nuj| hay| jzt| kni| pcv| ndq| bgz| irr|