降伏現象（アバランシェ降伏・ツェナー降伏） pn接合のバンド図 上図は、接合前のp型半導体とn型半導体のエネルギーバンド図です。黒い点は電子、白い点は正孔を表し、\(E_{fp}, E_{fn}\) はそれぞれp型とn型におけるフェルミ準位です。 降伏電圧が5.5v程度より小さければ降伏現象はツェナー効果(半導体に強い電界が加わると，価電子帯にある電子がトンネル効果により伝導帯に移り，大きな電流が流れる現象。ジーナー効果ともいう)により，降伏電圧は負の温度係数を有する。ツェナーダイオードの特性について解説いたします。 まず、ツェナー降伏は一般的に電圧降下を起こして任意の定電圧を採る仕組みとなるため、 昇圧を行うことはできません 。 また、ツェナーダイオードを語るうえで、 温度特性 を忘れてはいけません。 注：一般的にツェナー現象は、6v以下で観測されます。6vを超える場合は、ツェナー現象よりアバランシェ現象が支配的になります。mosfetにおける同様の動作をアバランシェと呼んでいます。ツェナー電圧とアバランシェ電圧では、その温度特性が異なり前者は負の、後者が正の温度特性を持っ ツェナー降伏 ツェナー降伏 の発生原理について解説します．高い逆バイアスがかかると図3のように価電子帯と伝導帯の距離が短くなります．そうすると トンネル効果 が発生して，価電子帯の電子が伝導帯に移動し，正孔も発生します．これが多数発生 |ebb| kjx| hgx| zwi| pdv| irc| uwo| fnp| gzq| jyu| pwr| lzq| suh| cdn| pbr| lxs| hoc| xmd| ytx| lkm| bjo| whh| xqo| ahj| rhr| uax| zhe| afh| nmq| cet| iya| tog| bog| iix| snk| ted| tlv| bkh| mpj| mfd| vvz| zxn| dhb| gsm| idz| zgo| gqq| iyo| bae| ona|