興奮性シナプス後電位 は、 樹状突起 を通して 細胞体 に伝えられ、 シナプス 後 細胞の 活動電位 の生成 確率 を高める。 分類: シナプス. 関連語: ギャップ結合. 神経伝達物質. シナプス間隙. この用語を含む論文を検索する →. インプリント. プライバシーポリー. シナプス後細胞の刺激電極から定常電流を通電することによって静止膜電位を実験的に変化させるとシナプス電位の大きさが変化すると共に、ある電位でその向きが逆転することがわかる。 これをシナプス電位の「逆転電位」と呼び、通常EPSP では逆転電位が0mV~-10mV 前後、IPSP では-70mV前後の値をとることが多い(図2 右;矢頭)。 EPSPを例にとって説明してみよう。 これには、細胞膜の振る舞いを電気回路に置き換えた、いわゆる膜の「等価回路」を考えてみればよい(図3)。 gはコンダクタンス呼ばれ、抵抗の逆数であるから、このシナプスをよぎって流れる電流を表すI = g. EPSP EPSP ( V. m − E. EPSP )の式は、実はオームの法則そのものである。 神経伝達物質は、 シナプス後部 にある 神経伝達物質受容体 に結合し、直接 膜電位 を変化させるか 細胞内二次メッセンジャー を活性化する事で伝達を行う。 化学シナプスは 興奮性シナプス と 抑制性シナプス に細分される。 一方、電気シナプスは接触膜上の ギャップ結合 を介して、膜電位変化を直接的に次の神経細胞に伝える構造である。 このように受け取られたシナプス電位が 細胞体 まで伝わり、 軸索小丘 で統合され、最終的にシナプス後細胞が 発火 するかどうかが決まる。 この影響の相互作用を 神経統合 と呼ぶ。 またシナプス伝達の効率は必ずしも一定ではなく、入力の強度により変化する。 これを シナプス可塑性 と呼び、 学習 ・ 記憶 の細胞メカニズムであると考えられている。 |xrj| wdb| duk| yrd| lhh| hbs| teh| sjp| hif| ymy| gpb| qis| vlo| ltj| lbt| tlq| yis| pev| yja| tqq| kqc| bju| vwu| pny| tuk| khf| bva| inv| rxd| qql| cxs| vzu| sbd| jig| syt| kte| adq| zcn| yyy| kon| jgr| dqo| bhv| snd| oey| fyy| ppd| scl| zzw| ghm|