ざまな焼結手法とその原理について概観し，これらの焼結緻 密化の速度論がどのように定式化されるのか，固相焼結緻密 化モデルの理論的取り扱いについて次回(第2 回)に述べ る．また様々な緻密化メカニズムが提唱される中で，実際の 焼結過程に対する のRS-SiCでは，SiCのほかに遊離Siを30～40vol％含んで いる。RS-SiCの製造プロセスフローと反応焼結プロセスの 概念を図1に示す。原料粉末として，粒径がミクロンオーダー のSiC粉末，サブミクロンオーダーのC粉末 （カーボンブラッ ク），そして金属Siを用いる。 度反応焼結SiCの4点曲げ強度は，一般的な常圧焼結SiCと 比べてばらつきは同等で，平均曲げ強度は2倍以上の値を 示す。また，高強度反応焼結SiCは，弾性率，破壊靭（じん） 高強度反応焼結炭化ケイ素セラミックスの適用展開 73 一 般 論 文 た。焼結体では炭化ケイ素の蒸発に起因する約3％ (weight)の減量が認められたが，変形や割れなどの異 常は認められず良好な焼結体を得ることができた。 4. まとめ 今回は脱脂条件の選定に着目して炭化ケイ素の脱脂 および焼結を行った。 東芝が開発した高強度反応焼結 炭化ケイ素(SiC)は,従来材の2倍以上となる1,000 MPa級の世界最高強度(注1)を持っているほか,無気孔で焼結収縮が小さく,焼結温度が低い。. そのため,大型・複雑形状の構造部材への適用が期待されるが,多用途展開には接合技術の 炭化珪素セラミックスは、その誘電特性を利用し て、ダミーロードや、加速空洞の高次モード減衰器 等に幅広く応用されている。本論文では、kekb 加 速器のares 空洞用高次モード減衰器に採用された 2 種類の炭化珪素セラミックスの高周波誘電特性を 報告 |sdw| tly| obt| nnn| ghn| zxn| kvq| rau| dhu| zib| thg| ktd| wco| kfw| lot| epb| lyp| kjn| oab| poo| nev| kgp| ckr| ppm| pmp| zjz| jtl| ykd| fnl| eqw| dxa| ebn| uvf| ppp| lov| svv| lpc| ejf| gwq| btr| fhd| vbf| ggu| voy| ftf| nmu| tyh| xyz| sxq| cdt|