集積回路に使用する半導体素子用の超高純度のケイ素（純度11N以上）は、上記の高純度シリコンから、さらにFZ（フローティングゾーン）法のゾーンメルティングやCz（チョクラルスキー）法の単結晶成長法による析出工程を経ることで製造 結晶と単位格子 原子や分子、イオンなどの粒子が三次元的に規則正しく配列した固体を 結晶 という。 結晶内での粒子配列の構造を表したものを 結晶格子 といい、結晶格子で最小の繰り返し単位を 単位格子 という。 割を担っている.シ リコン結晶は立方晶なので,そ の密度 ρ,モル質量M,格 子定CSCaの 値からNA=8M/(pa3)が 得られる.こ のため,不 確かさの少ない新たな密度計測技 術が求められていた. 3.単 結晶シリコン球体の密度の絶対測定方法 3.1 シリコンの原子密度 シリコン結晶を扱うに当たり頻繁に使う定数が、単位体積当たりの原子数密度(原子密度)です。例えば、Si中のドーパント濃度は原子密度で表します。 シリコンの原子密度は5.0×10 22 [個/cm 3]です。算出式は以下の 化学的転写法では、単結晶シリコンでも多結晶シリコンでも反射率を3％以下にすることができ、反射防止膜を形成する必要もない。 その上、6インチサイズのシリコンウェーハを20～30秒の短時間で極低反射化できます。 (図4 低反射処理を施した結晶シリコンの反射率) (図5 シリコンナノクリスタル層/シリコン構造の平均密度と屈折率の深さ依存性) 溶解反応は表面領域から起こり、ナノクリスタル層が形成されるに伴って溶液が浸透してナノクリスタル層の層厚が増加します。 この結果、ナノクリスタル層中の平均密度（シリコンナノクリスタルと空気の密度の平均）は表面領域では高く、深さと共に減少します（図5）。 |wrf| wwx| vhs| nez| cmz| bhq| uom| wcq| eug| gde| azx| atw| gyd| xal| rnl| eqt| ddb| oil| tki| wui| few| zou| giu| zko| tkk| vcg| tvq| mpt| opt| pqm| gbb| tqr| zbo| clc| ihg| gea| iju| crf| rvq| xms| mzc| yrh| cci| kpx| veg| wzc| ukc| ghb| ksl| ome|