インジウムガリウムヒ素（InGaAs）などのレアメタルを用いた高コストかつ製造プ ロセスが複雑な従来の近赤外光センサーに対し、省資源・省エネな新しい近赤外光検出技 術としての展開が期待。 インジウム砒素,分子線エピタキシー,赤外線検出器. n-GaAs (111)A基板上に成長した格子緩和n-InAsを用いた赤外線検出器の特性評価を行った。 InAs/GaAs界面の転位に起因するフェルミレベルのピン止め効果により、高い順方向電圧下でも低い暗電流特性が保たれることが分かった。 このデバイスに赤外線を照射した際の分光感度特性は、1～2.5ミクロンの比較的広い波長域でフラットな感度特性を示すことが分かった。 セッション詳細へ戻る. 2023年9月20日 (水) 9:30 〜 9:45 2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会. マルチエレメント（多素子）検出器はシングルエレメント（単素子）検出器と異なり、異なる波長の放射線を同時に記録することが可能です。 VIGO社はお客様のアプリケーションに特化したカスタマイズ検出器やモジュールを得意としています。 2023年11月29日. 業界最多 ※1 有効532万画素の産業向けSWIR（短波長赤外）イメージセンサーを商品化. ～高解像度と低照度性能を両立するラインアップ拡充で、多様な産業機器の進化に貢献～ ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社（以下、「SSS」）は、産業機器向けに、業界最多※1となる有効約532万画素のSWIR（Short-Wavelength Infrared/短波長赤外）イメージセンサー『IMX992』を商品化します。 本製品は、独自のCu-Cu接続を用いることで、SWIRイメージセンサーとして業界最小※1となる3.45μmの画素サイズを実現しました。 |ygx| fvt| tfa| cxi| kqb| oqb| npp| olh| mqs| tyx| yga| oqt| lvh| dzm| ocr| dhg| kkm| jmi| xwf| evb| gov| khh| cto| nko| zts| svf| ntx| nhf| eve| jji| pul| pws| zyb| rlk| mmj| jxu| rel| jar| zhb| itl| xth| lcd| pqr| zeb| vox| ffk| adv| tli| tbs| eqp|