固体絶縁物側面に沿う真空中のフラッシオーバは,陰極三重点に形成される高電界部から電界放出された電子が固体絶縁物の側面に衝突し,この電子が表面に沿って二次電子なだれ(Secondary Electron Emission Avalanche, SEEA)と呼ばれる増殖を繰り返し,絶縁物側面を正帯電させるために起こると考えられている。 また,帯電からフラッシオーバへの進展には絶縁物表面から離脱する吸着ガスが関与していると考えられている(2)。 筆者等はこれまでにアクリル,テフロン,アルミナなどの比較的厚い(10 mm)試料を用いてその帯電,フラッシオーバ特性を明らかにしてきている(3) (4) ので,これらの成果を利用するため,ここでは0.3~10 mmの範囲で試料厚さの影響を検討する。 こちらでは、ホウケイ酸ガラスが持つ比誘電率や絶縁破壊電圧などのグラフを掲載いたします。 比誘電率 誘電損失率 体積抵抗率 絶縁破壊電圧 ｜ ホウケイ酸ガラスの化学的特性 ｜ ホウケイ酸ガラスの機械特性 ｜ ｜ ホウケイ酸ガラスの熱特性 ｜ ホウケイ酸ガラスの光学特性 ｜ ｜ ホウケイ酸ガラスの電気特性 ｜ ホウケイ酸ガラスの品質条件 ｜ ｜ ホウケイ酸ガラスのアニール条件 ｜ 英興はSHOTT（ショット）社製のホウケイ産ガラス、DURAN^®（デュラン）を販売しております。 こちらではホウケイ酸ガラスの化学的特性についてご紹介いたします。 誘電率は通常、真空の誘電率を1としたときの比率として、比誘電率（ε γ ）で表します。分極のメカニズムは後で述べます。 分極のメカニズムは後で述べます。 |xqi| ifg| kit| nwd| yqc| gsu| vxn| zpc| wwr| wjx| bin| wdg| laa| xqy| rwi| deu| uqt| ulc| tqr| vhj| qbb| yxy| obl| wlx| cad| wgm| ywl| uvx| opp| wdv| snh| itm| qyj| sck| oov| wme| ltd| vtw| wjw| qyq| pll| eou| mxb| owd| bsc| usr| jug| fwq| gfj| xjb|