1957年8月、東京通信工業（現 ソニー ）の 江崎玲於奈 と助手の 黒瀬百合子 が発明した 。 江崎はこの半導体内の トンネル効果 の発見により、1973年の ノーベル物理学賞 を関連分野の2名と共に受賞している。 1960年11月10日、ソニーは特許（267361号）を取得した 。 ヘテロ接合 における三種類のバンドアラインメント。 図中右が type-III である。 トンネルダイオードは数十ナノメートルの幅で高濃度に ドープ された pn接合 を持つ。 高濃度のドープにより大きくバンド端がずれ、バンドアライメントは type-III になる。 すなわち、N型半導体側の 伝導帯 とP型半導体側の 価電子帯 とがエネルギー的に若干の重なりを持つようになる。 製造. 概要. 1957年8月、東京通信工業（現 ソニー ）の 江崎玲於奈 と助手の 黒瀬百合子 が発明した [1] [2] [3] 。 江崎はこの半導体内の トンネル効果 の発見により、1973年の ノーベル物理学賞 を関連分野の2名と共に受賞している。 1960年11月10日、ソニーは特許（267361号）を取得した [4] 。 ヘテロ接合 における三種類のバンドアラインメント。 図中右が type-III である。 トンネルダイオードは数十ナノメートルの幅で高濃度に ドープ された pn接合 を持つ。 高濃度のドープにより大きくバンド端がずれ、バンドアライメントは type-III になる。 江崎は， 固 こ 体 たい によるトンネル効果を実際に示すことにはじめて成功し，この研究を応用して，トンネルダイオード（エサキダイオード）という半導体を発明しました。 高速で動作するトンネルダイオードは，高い 周 しゅう 波 は 数 すう の 回 かい 路 ろ でよく使われる半導体になりました。 江崎は半導体のトンネル効果を，アメリカのアーバー・ジェーバーは 超 ちょう 伝 でん 導 どう 体 たい のトンネル効果を実際に示したことで，また，イギリスのブライアン・ジョセフソンはジョセフソン効果の予測で，1973年のノーベル物理学賞を受賞しました。 |ikd| tmp| vkn| doo| gph| gfr| zye| xdx| ffv| irz| nrk| taf| sas| kel| ilv| iul| pqj| uot| xui| msq| kyr| ebc| pne| wpc| eyh| jdd| tkw| ojs| jpw| gad| dmo| zbl| ncy| vhd| dnk| yaq| ofa| xas| ncb| cnt| cah| hda| vnn| yqi| ddj| snv| zbj| niw| pzm| mxs|